337章 复杂性（3/5）

光谱曲线非常明显，GaN在300-1500nm之间有五个不同吸收强度的吸收峰，其中心位于401nm处的最强吸收峰主要来自HOMO-11→LUMO（95%）的电子跃迁。

“摩擦摩擦，膨胀坍塌。”

沈奇切回GaN晶体的平面分子结构示意图，模拟实验计算结果验证了GaN中的混合位错。

位错的滑移沿着位错线和伯格斯矢量所构成的平面运动，位错的攀移由位错的边缘半原子平面作膨胀或收缩来实现。

顺着这个思路进行发散，基于二维晶格OFC模型在0≤α≤1/4情况下的动力学，沈奇本能的做出一个数学计算。

计算的依据来自具有狄利克雷边界条件的定常纳维-斯托克斯方程。

目前只能假定N-S方程成立，上百年来，科学家们皆是假定N-S方程成立，得出了大量的理论研究成果，并运用到实际中。

如果N-S方程不成立，那么飞机怎能翱翔天空？

N-S方程在大自然中时刻演绎，只不过人们无法求得它的数学解。

沈奇的思维一直在跳跃，从半导体照明中蓝光发光二极管的核心材料氮化镓，跳跃到N-S方程。

两种看似毫无关联的存在，在凝聚态物理复杂性原理的穿插下，摩擦，摩擦。

因为毫无关联，所以计算量极其巨大。